Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (6)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Michailovska K$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
1.

Dan'ko V. A. 
Absorption Cross Section and Photoluminescence Lifetime of Silicon-Based Light-Emitting nc-Si-SiOx Structures [Електронний ресурс] / V. A. Dan'ko, P. E. Shepeliavyi, K. V. Michailovska, I. Z. Indutnyi // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2012. - Vol. 1, no. 3. - С. 03TF13-03TF13. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2012_1_3_15
Попередній перегляд:   Завантажити - 253.897 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Dan'ko V. A. 
Control of photoluminescence spectra of porous nc-Si-SiOx structures by vapor treatment [Електронний ресурс] / V. A. Dan'ko, V. Ya. Bratus', I. Z. Indutnyi, I. P. Lisovskyy, S. O. Zlobin, K. V. Michailovska, P. E. Shepeliavyi // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 4. - С. 413-417. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_4_18
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.893 Mb    Зміст випуску     Цитування
3.

Sopinskyy M. V. 
Polarization conversion effect in obliquely deposited SiOx films [Електронний ресурс] / M. V. Sopinskyy, I. Z. Indutnyi, K. V. Michailovska, P. E. Shepeliavy, V. M. Tkach // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 273-278. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_5
Structural anisotropy of the SiOx films and nc-Si - SiOx light emitting nanostructures, prepared by oblique deposition of silicon monoxide in vacuum, has been studied using the polarization conversion (PC) effect. For this purpose, a simple method of PC investigation with usage of a standard null-ellipsometer is proposed and tested. This method is based on the analysis of the azimuthal angle dependence of the off-diagonal elements of the Jones matrix. The electron microscopy study shows that obliquely deposited SiOx films have a porous (column-like) structure with the column diameter and inclination depending on the deposition angle. Polarimetric investigations revealed that both in-plane and out-of-plane anisotropy was present, which is associated with the columnar growth. The correlation between the PC manifestations and the scanning electron microscopy results is analyzed. It was found that the tilt angle of columns in obliquely deposited SiOx is smaller than that predicted by the "tangent rule" and "cosine rule" models, and depends on the crystallographic orientation of Si substrate. It is concluded that the proposed method is effective non-destructive express technique for the structural characterization of obliquely deposited films.
Попередній перегляд:   Завантажити - 234.687 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Michailovska K. V. 
Nickel-induced enhancement of photo-luminescence in nc-Si-SiOx nanostructures [Електронний ресурс] / K. V. Michailovska, I. Z. Indutnyi, P. E. Shepeliavyi, V. A. Dan'ko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2014. - Vol. 17, № 4. - С. 336-340. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2014_17_4_6
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.377 Mb    Зміст випуску     Цитування
5.

Michailovska K. V. 
Polarization memory of the luminescence related with Si nanoparticles embedded into oxide matrix [Електронний ресурс] / K. V. Michailovska, I. Z. Indutnyi, O. O. Kudryavtsev, M. V. Sopinskyy, P. E. Shepeliavyi // Semiconductor physics quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 3. - С. 324-329. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_3_17
Попередній перегляд:   Завантажити - 365.665 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського